金融界2025年4月8日消息，国家知识产权局信息显示，海宁立昂东芯微电子有限公司申请一项名为“一种GaN HEMT注入、栅脚自对准制备方法及结构”的专利，公开号CN 119767721 A，申请日期为2024年12月。
专利摘要显示，本发明公开了一种GaN HEMT注入、栅脚自对准制备方法及结构。本发明在外延层上生长第一介质层后涂覆第一光刻胶层，简单一次光刻后形成源注入区域、漏注入区域以及栅凹槽开窗区域，保留第一光刻胶层，直接涂覆第二光刻胶层，进行第二次简单光刻后形成栅凹槽保护辅助区；制备注入区；制备第二介质层，垂直刻蚀形成栅脚；制备T型栅金属层；制备欧姆金属层；制备第三介质层。本发明通过保留第一光刻胶层，然后涂覆第二光刻胶层进行二次光刻形成栅保护区，后续注入步骤实现自对准且无需精确光刻对准。本发明还通过引入第二介质层，结合垂直刻蚀工艺，实现了缩小栅长尺寸的目标，同时在高温退火工艺步序时保护了外延层材料不受影响。本发明解决了由于GaN HEMT器件对准工艺复杂且误差较大，受设备限制造成的良率低问题，同时又大大降低了生产成本。
天眼查资料显示，海宁立昂东芯微电子有限公司，成立于2021年，位于嘉兴市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本66600万人民币，实缴资本35200万人民币。通过天眼查大数据分析，海宁立昂东芯微电子有限公司参与招投标项目2次，此外企业还拥有行政许可11个。
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