光刻
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海宁立昂东芯申请GaN HEMT注入、栅脚自对准制备方法及结构专利，解决良率低及成本高问题
金融界2025年4月8日消息，国家知识产权局信息显示，海宁立昂东芯微电子有限公司申请一项名为“一种GaN HEMT注入、栅脚自对准制备方法及结构”的专利，公开号CN 119767721 A，申请日期为2024年12月。专利摘要显示，本发明公开了一种GaN HEMT注入、栅脚自对准制备方法及结构。本发
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合肥晶合集成电路取得掩膜版结构和光刻方法专利
金融界2025年4月26日消息，国家知识产权局信息显示，合肥晶合集成电路股份有限公司取得一项名为“掩膜版结构和光刻方法”的专利，授权公告号 CN119247688B，申请日期为2024年12月。天眼查资料显示，合肥晶合集成电路股份有限公司，成立于2015年，位于合肥市，是一家以从事计算机、通信和其他
